石英晶振的主要參數(shù)

Release date:2019-12-25

石英晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱頻率,負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等。不同的晶振標(biāo)稱頻率不同,標(biāo)稱頻率大都標(biāo)明在晶振外殼上。如常用普通晶振標(biāo)稱頻率有:48kHz、500kHz、503.5kHz、1MHz~40.50MHz等,對(duì)于特殊要求的晶振頻率可達(dá)到1000MHz以上,也有的沒有標(biāo)稱頻率,如CRB、ZTB、Ja等系列。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接|c塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同標(biāo)稱頻率相同的晶振,負(fù)載電容不一定相同。因?yàn)槭⒕w振蕩器有兩個(gè)諧振頻率,一個(gè)是串聯(lián)揩振晶振的低負(fù)載電容晶振:另一個(gè)為并聯(lián)揩振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以,標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致,不能冒然互換,否則會(huì)造成電器工作不正常。頻率精度和頻率穩(wěn)定度:由于普通晶振的性能基本都能達(dá)到一般電器的要求,對(duì)于[敏感詞]設(shè)備還需要有一定的頻率精度和頻率穩(wěn)定度。頻率精度從10^(-4)量級(jí)到10^(-10)量級(jí)不等。穩(wěn)定度從±1到±100ppm不等。這要根據(jù)具體的設(shè)備需要而選擇合適的晶振,如通信網(wǎng)絡(luò),無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要更高要求的石英晶體振蕩器。因此,晶振的參數(shù)決定了晶振的品質(zhì)和性能。在實(shí)際應(yīng)用中要根據(jù)具體要求選擇適當(dāng)?shù)木д?因不同性能的晶振其價(jià)格不同,要求越高價(jià)格也越貴,一般選擇只要滿足要求即可

石英晶振的發(fā)展趨勢(shì)

1、小型化、薄片化和片式化:為滿足移動(dòng)電話為代表的便攜式產(chǎn)品輕、薄、短小的要求石英晶振的封裝由傳統(tǒng)的裸金屬外殼覆塑料金屬向陶瓷封裝轉(zhuǎn)變。例如TCXo這類器件的體積縮小了30-100倍。采用SMD封裝的TCXO厚度不足2mm,目前5×3mm尺寸的器件已經(jīng)上市

2、高精度與高穩(wěn)定度,目前無(wú)補(bǔ)償式晶體振蕩器總精度也能達(dá)到±25pm,vXO的頻率穩(wěn)定度在10~7℃范圍內(nèi)一般可達(dá)±20~100ppm,而OCXO在同一溫度范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定度般為±00001-5p0m,VCXO控制在±25ppm以下

3、低噪聲,高頻化,在GPs通信系統(tǒng)中是不允許頻率顫抖的,相位噪聲是表征振蕩器頻率顫抖的一個(gè)重要參數(shù)。目前oCXO主流產(chǎn)品的相位噪聲性能有很大改善。除VCXO外,其它類型的晶體振蕩器[敏感詞]輸出頻率不超過200MHz。例如用于GsM等移動(dòng)電話的Ucv4系列壓控振蕩器,其頻率為650~1700MHz,電源電壓2.2~3.3V,工作電流8~10mA

4、低功能,快速啟動(dòng),低電壓工作,低電平驅(qū)動(dòng)和低電流消耗已成為一個(gè)趨勢(shì)。電源電壓般為3.3V。目前許多TCXO和VcXo產(chǎn)品,電流損耗不超過2mA。石英晶體振蕩器的快速啟動(dòng)技術(shù)也取得突破性進(jìn)展。例如日本精工生產(chǎn)的vG-2320sC型vcXO,在±0.1ppm規(guī)定值范圍條件下,頻率穩(wěn)定時(shí)間小于4ms。日本東京陶瓷公司生產(chǎn)的 SMD TCXO,在振蕩啟動(dòng)4ms后則可達(dá)到額定值的90%。OAK公司的10-25MH的OCXO產(chǎn)品,在預(yù)熱5分鐘后則能達(dá)到±001ppm的穩(wěn)定度。