Release date:2019-09-17
成品石英晶體諧振器標(biāo)有標(biāo)稱頻率。當(dāng)電路在這個(gè)額定頻率下工作時(shí)，頻率穩(wěn)定性[敏感詞]。這種標(biāo)稱頻率通常是在生產(chǎn)成品之前，在具有一定負(fù)載電容的石英晶體上測(cè)量的。在石英晶體振蕩器的實(shí)際組成中，必須在石英晶體的兩端與負(fù)載電容相連，并且負(fù)載電容必須滿足石英晶體技術(shù)條件中的規(guī)定值，這種電容大多采用微調(diào)電容器。等，以便調(diào)整。規(guī)定的負(fù)載電容如制造商的產(chǎn)品規(guī)范所示，通常為30pF（高頻晶體）或100pF（低頻晶體），32.768kHz普通晶體或場(chǎng)（這意味著不需要外部負(fù)載電容）為12.5pF（最常見(jiàn)的負(fù)載電容類型）。紅色，通常用于串聯(lián)晶體振蕩器）。石英晶體諧振器的激勵(lì)電平應(yīng)在規(guī)定范圍內(nèi)。石英晶體諧振器在振蕩器中激勵(lì)時(shí)，需要通過(guò)激勵(lì)電流，消耗一定的激勵(lì)功率。在實(shí)際應(yīng)用中，輸入石英晶體的激發(fā)功率不應(yīng)超過(guò)額定值。隨著激勵(lì)功率的增加，石英諧振器的內(nèi)部溫度升高，石英晶片的老化效應(yīng)和頻率漂移增大。強(qiáng)的激勵(lì)功率會(huì)使石英晶片的機(jī)械振動(dòng)過(guò)猛而損壞。
在并聯(lián)石英晶體振蕩器中，石英晶體只能在電感區(qū)工作，而不能在電容區(qū)工作。因?yàn)槿绻w用作電容元件，一旦壓電效應(yīng)失效，它仍然是電容的，此時(shí)振蕩器可能仍然保持振蕩，但石英晶體已經(jīng)失去了頻率穩(wěn)定的影響。
由于石英諧振器只有在一定溫度范圍內(nèi)的高頻穩(wěn)定性，在對(duì)頻率穩(wěn)定性要求較高時(shí)，可考慮恒溫設(shè)備或溫度補(bǔ)償措施。
晶體振蕩器在振蕩電路中開(kāi)始振蕩時(shí)，相當(dāng)于靈敏度。負(fù)載電容與晶體振蕩器的等效電感形成諧振，決定振蕩器的振蕩頻率。負(fù)載電容值不同，振蕩器振蕩頻率不一樣，改變負(fù)載電容的大小，就可以改變振蕩頻率。因此，通過(guò)適當(dāng)?shù)卣{(diào)整負(fù)載電容，通常可以將振蕩器的振蕩頻率[敏感詞]地調(diào)整到標(biāo)準(zhǔn)值。晶體振動(dòng)數(shù)據(jù)的主要參數(shù)所提供的負(fù)載電容不僅是一個(gè)試驗(yàn)條件，也是一個(gè)不可忽視的使用條件。如果忽略負(fù)載電容參數(shù)，振蕩頻率將偏離標(biāo)準(zhǔn)值，如果偏差過(guò)大，將使振蕩器難以啟動(dòng)和停止振動(dòng)。
晶體振蕩器的負(fù)載電容高、低。低的一般只有十幾到幾百pf，而高的則是無(wú)窮大的，兩者之間的差別，一定不能混在一起，否則會(huì)使振蕩頻率產(chǎn)生偏差。兩種不同負(fù)載電容的晶體振蕩器的使用是完全不同的。低載電容晶振串聯(lián)幾十個(gè)pf容量電容器，但高載電容晶振不能串聯(lián)，必須并聯(lián)若干個(gè)小容量pf電容器（外部電路的分布式晶振電容器）它有時(shí)可以取代這個(gè)并聯(lián)電容器）。
以上問(wèn)題需要認(rèn)真考慮，只有這樣，石英晶體諧振器的優(yōu)點(diǎn)才能得到合理的應(yīng)用。
