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發(fā)布日期:2019-12-16



傳輸法測(cè)量線路如圖1所示,它是由訊號(hào)源、測(cè)試(TestMeasure)網(wǎng)絡(luò)和指示器三部分組成。為了保證一定的測(cè)量精度([敏感詞]度),對(duì)測(cè)量線路的各部分都有一定要求。

1、頻率(frequency)綜合器(即訊號(hào)源)

對(duì)頻率綜合器的要求是:輸出頻率穩(wěn)定(解釋:穩(wěn)固安定;沒有變動(dòng))度要優(yōu)于1×10-6/天;輸出阻抗要與石英晶體振蕩器相匹配;功率(指物體在單位時(shí)間內(nèi)所做的功的多少)輸出能滿足石英諧振器所規(guī)定的激勵(lì)(Excitation)功率。在測(cè)試(TestMeasure)過程中,訊號(hào)源的輸出電壓變化要求小于10%,正弦波的失真度要求小于15%,諧波應(yīng)比基頻訊號(hào)低30dB以上。

2、高頻(Induction Heating)毫伏表(即指示器)

對(duì)高頻毫伏表的要求是:靈敏度(Sensitivity)和輸入阻抗要高;性能要穩(wěn)定(解釋:穩(wěn)固安定;沒有變動(dòng));頻率(frequency)響應(yīng)要足夠?qū)挕?

3、測(cè)試(TestMeasure)網(wǎng)絡(luò)

對(duì)測(cè)試(TestMeasure)網(wǎng)絡(luò)的要求是:接線柱和引線的寄生電抗XT=1/ωCT應(yīng)遠(yuǎn)大于并聯(lián)電阻RT;石英諧振器插座之間的寄生電容CAB應(yīng)遠(yuǎn)小于靜電(是一種處于靜止?fàn)顟B(tài)的電荷)容C0;石英諧振器插座之間的寄生電抗XAB要遠(yuǎn)大于動(dòng)態(tài)電阻Ri;連接石英諧振器導(dǎo)線的電抗要低于靜電容C0的電抗。

為了保證傳輸法的測(cè)量精度([敏感詞]度),對(duì)測(cè)試(TestMeasure)網(wǎng)絡(luò)中電阻RT和Ri的選取應(yīng)滿足下述要求:

(1)并聯(lián)電阻RT

電阻RT與石英諧振器串聯(lián)。晶體濾波器石英晶體振蕩器是最常用的晶體諧振器之一,它在濾波器中主要用作窄帶通濾波器。鉭酸鋰或鈮酸鋰晶體諧振器的耦合系數(shù)和頻率常數(shù)較大,適用于制做高頻寬帶通濾波器。其他壓電材料因溫度穩(wěn)定性較差,很少采用。單片機(jī)晶振晶體諧振元件和陶瓷諧振元件都是利用具有壓電效應(yīng)的晶體片而制成的諧振 元件。這種壓電晶體片當(dāng)受到外加交變電場(chǎng)的作用時(shí)會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng),當(dāng)交變電場(chǎng)的頻率與壓電晶體片的固有頻率相同時(shí),振動(dòng)便變得十分強(qiáng)烈,這就是壓電晶體諧振特性的反映。在串聯(lián)諧振時(shí),RT是串聯(lián)諧振電路中電阻的一部分,因而當(dāng)RT很大時(shí),就會(huì)影響諧振曲線的尖銳度,使諧振指示不靈敏、測(cè)量誤差增大。又根據(jù)傳輸法對(duì)測(cè)試(TestMeasure)網(wǎng)絡(luò)的要求,在整個(gè)測(cè)量頻率(frequency)范圍內(nèi),為了保證XT?RT,減少CT的影響,希望RT小一點(diǎn)好。另一方面,石英諧振器阻抗的變化是通過RT上的電壓在指示器上反映出來的,為了使指示器能靈敏地反映出電壓的變化,則要求RT大一點(diǎn)好。兼顧這兩個(gè)方面的要求,一般選取RT=(1/31~/10)R1為宜。

(2)并聯(lián)電阻RT′

電阻RT′與石英諧振器并聯(lián),它的作用是減小對(duì)訊號(hào)源輸入電壓的影響,一般選取RT′=RT。這樣,諧振器的阻抗Z雖然隨頻率(frequency)變化很大,但是Z與RT′并聯(lián)后的總阻抗隨頻率的變化就很小,因此諧振器的輸入電壓能保持不變。

(3)串聯(lián)電阻Ri

電阻Ri串聯(lián)在輸入端和輸出端,它的作用是減小訊號(hào)源的輸出阻抗及指示器輸入阻抗對(duì)石英諧振器兩端的影響,Ri的選擇應(yīng)考慮(consider)到與訊號(hào)源輸出阻抗相匹配。晶體諧振器在規(guī)定條件下,晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)(產(chǎn)生諧振)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí),負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè),在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí),則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。一般選取Ri≥10RT為宜。